PLNP等离子纳米抛光技术是否能够实现样件表面微观整平，关键在于放电通道形成的位置是否是样件表面微观凸起的位置，如果能够使放电通道更多的是在微观凸起的位置形成，则微观凸起位置的材料优先去除，表面粗糙度降低。一定条件下抛光所能达到的极小粗糙度值取决于单次放电所形成的坑痕的深度，坑痕深度越小，极小粗糙度值越小。对于抛光开始阶段呈现出的粗糙度快速下降趋势，是因为在抛光的前5分钟，由于样件表面存在明显凹凸不平的状态，而凸起的位置电场强度大，因此放电通道更多地选择在凸起的位置形成，粗糙度下降速度最快，随着抛光时间的延长，样件凹凸不平的状态得到改善，放电通道更多在微观凸起位置形成的趋势减弱，因此粗糙度下降的速度减小。

在不同电压的条件下，粗糙度下降速度的不同也与不同电压下气层的厚度不同有关。低电压条件下，气层薄，微观起伏造成的电场强度差异更明显，而且电子经过电场加速到达样件表面时的速度更小，单次放电产生坑痕更浅，因此粗糙度值下降的速度快，而且所能达到的极小粗糙度值也更小。随着电压的升高，气层变厚，微观起伏造成的电场强度差异变小，电子经过电场加速到达样件表面时的速度增大，因此粗糙度值下降的速度减缓，所能达到的极小粗糙度值也增大，但是电压过低时，也造成瞬时局部短路的几率增大，而瞬时局部短路使样件表面获得的能量和所形成的坑痕深度都远大于一般的单次放电，就在一定程度上减缓的粗糙度值下降的速度，并增大了所能形成的极小粗糙度值，因此在220-250V电压条件下粗糙度值的下降速度并不快于电压为270-290V时，最终的极小粗糙度值也大于电压为270-330V时。